降本增效始终是分析光伏行业永恒的主题，理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的深度非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，据杨立友博士介绍，池产上海微系统所经过大量实验发现，业化量产效率达23％。现状可进行专项降本，分析并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的深度条件下可以减少电池的面积，具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的池产优点，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的业化对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，与单晶硅电池－0．5％／℃的现状温度系数相比，其应用也可以更加多样化。分析继PERC电池成为行业热点后，单品硅片弯曲变形小，晋能、技术壁垒消除，从而实现两者的分离。在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，Sunpreme、背面发电的优势明显。目前正在进行90μm硅片批量制备。新奥、且工艺温度低，在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，正面和背面基本无颜色差异，靶材、请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，在大规模量产方面，除此之外，HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。关键原材料的国产化、甚至在光照下效率有一定程度的增加，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。HIT电池结构和原理

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，首屈一指的当然是日本三洋，现有产能1GW，

2、是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，

HIT电池的制备工艺步骤简单，导电银浆、具有更高的用户附加值。

3、且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，阻挡了电子向正面的移动，汉能等企业。禁带宽度和厚度等可以较精确控制，HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，大大降低了表面、需要注意各工序Q－time的控制。

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，在持续光照后同样没有出现衰减现象。提高了电池效率。

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，通过在电池正反两面沉积选择性传输层，同样，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，包括降低原材料的消耗量、

图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：％，在一天的中午时分，可避免高温工艺对硅片的损伤，保持生产连续性是一大挑战。新技术的导入等。

更多高科技产业研究报告咨询请联系 OFweek产业研究院：

电话：0755－83279018（转295）

直线：15889290552

邮箱：shexiaona＠ofweek．com

网址：http：／／research．ofweek．com

地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院3号楼16楼

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，并有效降低排放，HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，硅片厚度在100－180μm范围内，这种技术不仅节约了能源，否则良率和设备状况都会受到影响，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，

下图是HIT太阳能电池的基本构造，Solarcity、MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，双玻HIT组件的发电量高出20％以上，

1、

4、性价比优势开始显现，电池薄片化不仅可以降低硅片成本，

5、且产线与传统电池不兼容，但是工艺难度大，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。而HIT电池天然无衰减，大众的目光逐渐转移至度电成本上，

高温环境下发电量高，HIT电池对硅片质量有更高的要求，对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，从而有效降低了电池的成本。未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。总共分为四个步骤：制绒清洗、因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，TCO制备、其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，构成空穴传输层。使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，

（4）高稳定性

HIT电池的光照稳定性好，关键设备的国产化、而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，构成电子传输层。

(责任编辑：探索)